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GT60N321 , Toshiba , High Speed IGBT-Transistor , 1000V , 170W, 60A , Japan
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GT60N321 , Toshiba , High Speed IGBT-Transistor , 1000V , 170W, 60A , Japan . Schnellversand aus Deutschland

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GT60N321 , Transistor

Toshiba , Japan


Technische Daten:

  • Spannung: 1000V
  • Strom : 60A
  • Leistung: 170W


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